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恒流二极管（英文缩写为CRD）简称“恒流管”，是一种能在很宽的电压变化范围内提供恒定电流的半导体两端器件，它具有直流等效电阻低、交流动态电阻高、温度系数小等特点。恒流二极管在电路中主要用于稳定和限制电流，当出现电源电压供应不稳定或是负载电阻变化很大的情况时，它都能确保电路工作电流的稳定不变。恒流二极管以其体积小、造价低、恒流性能好、使用简便、可靠性高等优点，目前已被广泛用于各种电源设备、工业自动化控制装置、仪器仪表、音响设备、通信设备、LED照明灯等电路中。

当VI=1.5～15V时，IH恒定不变；当VI=1.5～30V时，IH多只增加0.02mA，变化率小于5.9%。然后将RL从零欧调至10k欧，重复上述试验。在VI=1.5～30V的范围内，IH=0.34±0.03mA，变化率△IH/IH《8.9%。由此证明被测恒流二极管的恒流特性良好，在满足RL《《ZH之条件下，IH基本不随负载而变化。恒流二极管的测量需注意以下事项测量恒流二极管时极性不得接反，否则起不到恒流作用，并且还容易烧毁管子。在架构上的差别：LD有光学谐振腔，使发生的光子在腔内振动放大，LED没有谐振腔。效能上的差别：LED没有临界值特徴，光谱密度比LD高几个数量级，LED汇出光功率小，发散角大。为了降低发光二极管可能对人体造成的负面影响，小编给出的部分建议如下。

成都15MA的恒流二极管S-452T,4.50mA_2020当加在恒流二极管两端的正向电压不大于Us时，电流基本随电压线性增长。一旦电压超过Us，电流就不再随电压而增长。魄被称为恒流二极管的饱和电压或起始电压，也就是恒流二极管正常工作所必需的低电压。但当电压超过某一定值UB后，电流又会开始增长，并且会导致恒流二极管过热损坏。UB被称为正向击穿电压（简称“耐压”）。如果给恒流二极管加上反向电压，即将管子的极性反接，则它的伏安特性曲线与普通硅二极管的正向特性一致。

成都15MA的恒流二极管S-452T,4.50mA_2020如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结性损坏。

对于输入级器件的要求：因为输入级需要是恒压源，所以可以采用具有电压饱和伏安特性的器件来作为输入级。一般的pn结二极管就具有这种特性——指数式上升的伏安特性；另外，把增强型MOSFET的源-漏极短接所构成的二极管，也具有类似的伏安特性——抛物线式上升的伏安特性。按照判断二极管的方法，可以判断出其中一极为公共正极或公共负极，此极即为基对NPN型管，基极是公共正极；对PNP型管则是公共负极。因此，判断出基极是公共正极还是公共负极，即可知道被测三极管是NPN或PNP型三极管。发射极e和集电极c的判断利用万用表测量β（HFE）值的档位，判断发射极e和集电将档位旋至MFE基极插入所对应类型的孔中，把其于管脚分别插e孔观察数据，再e孔中的管脚对调再看数据，数值大的说明管脚插对了。

恒流二极管作为一种两端恒流器件，在实际应用中只要将其按正向工作的极性串接在需要恒流的电路中就可以了。它不仅可以用于各种电子电路中的基准电流设定，而且还可直接驱动小功率负载工作。它能使以往较复杂的恒流源电路大大简化，并改善恒流性能、缩小体积、提高工作可靠性。  国产恒流二极管的型号命名遵循了普通半导体器件的命名规则，其型号一般由5部分组成。由于当今许多厂家（括外资厂商）生产的恒流二极管，其型号命名规则多是自行制定或者参照了国外产品的命名方法，所以型号命名规律各不相同。

PN结二极管由相互组合的n型半导体和p型半导体构成。PN结中的电子和空穴相互抵消，导致主载流子不足以形成耗尽层。在耗尽层中，N型侧带正电，P型侧带负电，因此在内部产生静电场，并且在耗尽层的两端存在电位差。成都15MA的恒流二极管S-452T,4.50mA_2020按照判断二极管的方法，可以判断出其中一极为公共正极或公共负极，此极即为基对NPN型管，基极是公共正极；对PNP型管则是公共负极。因此，判断出基极是公共正极还是公共负极，即可知道被测三极管是NPN或PNP型三极管。发射极e和集电极c的判断利用万用表测量β（HFE）值的档位，判断发射极e和集电将档位旋至MFE基极插入所对应类型的孔中，把其于管脚分别插e孔观察数据，再e孔中的管脚对调再看数据，数值大的说明管脚插对了。

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