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刷新时，先将Tl置1，在DEC 70H语句的取指周期，8031从外部程序存储器EPROM取指令，PSEN有效，此时Tl为高，使RAS有效;同时，存储指令的EPROM地址也送到了地址线上，其低9位也作为行地址同时送给DRAM，实现对DRAM -行的刷新。由于DEC 70H语句是对内部RAM的操作，此时地址线上不会有其他地址，连续执行OlOOH条DEC 70H语句(0200H个字节)，可实现对1 MB DRAM的刷新(1 MB DRAM需9位刷新地址)。

进入中断程序，立即重设定时器1参数并打开定时器，使定时连续。定时器1的计数输入信号来自内部的时钟脉冲，计数速率是振荡器频率的1/12。若用12 MHz石英晶体作振荡器，则计数速率为1MHz。设定时参数为FFFFH - F63BH一09C4H，则定时刷新周期为2.5 ms。目前一般1 MB DRAM刷新周期为16 ms，所以定时参数值还可设置得大些。

数据缓存器管理

数据缓存器的管理可采用循环队列的方式。由主程序向上位机发送数据，并根据队列的头尾指针位置及前后标志判断队列的情况，利用中断接收新数据和刷新DRAM。这种边接收、边发送的运行方式可使缓存器保持高效率。刷新DRAM的中断源级别应高于接收数据的中断申请，以保证DRAM的按时刷新。

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