维扬电工培训学校,维扬电工培训班

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unsigned ｃｈａｒ eeprom_read(unsigned ｃｈａｒ addr);void eeprom_write(unsigned ｃｈａｒ addr, unsigned ｃｈａｒ value);这两个函数是PIC内部函数，可以直接调用；

-----------------------------以下内容是baidu空间的一位博主写的-------

-上周在做一个项目时,需要对测试数据实时的保存,以被重新上电后读取.采用了PIC的内部EEPROM,正常读取时没有什么问题.反复上电掉电就出现了EEPROM被清0(改写).

查阅相关资料:EEROM写过程括两个阶段:先擦除(电压为20V) 再写入(电压18V);EEPROM在写入过程中如果电压不稳定,很容易导致错误.先使用了软件冗余法,同一个data写在连续3个地址,使用时比较,只有2个相同时才使用.这样做,反复上电掉电出错几率小了很多,但是还是会出错.在反复上电100多次时还是出错.另一个解决办法就是使能BOD,写EEPROM时,先检测BOD.网上一位兄弟使用此方法反复上电2000多次才错误一次.

上述方法有两个致命缺陷:1.EEPROM寿命短,EEPROM按 低10万次算,我的项目每2s写一次EEPROM,连续使用2周后EEPROM就可能寿命以尽.2还是有错误,没有正确.

解决方案:使用掉电检测,如果成本许可还可以使用法拉电容.

电源电压掉电时,产生一个INT信号,PIC进入外部中断程序:首先将IO清零以降低电流损耗,此时利用电容C1的放电时间将要保存的数据写入EEPROM.470uF D型钽电容可供PIC工作20ms左右,足够写8bety EEPROM.

---------------------以下内容是我实验内容--------摘自博客园的--“业精于勤，荒于嬉；行成于思，毁于随---------

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******PIC16F877A 内部EEPROM读写实验*******
Author:hnrain
Date:2010-12-25
Version:V0.1
Email:hnrain1004@gmail.com
Forum:
_______________________________
实验现象:先给内部EEPROM的0~7字节写数据1~8,再读出第0字节的
内容，并判断读出来的数据是不是1，如果是1则点亮RD0口的LED。

重点内容：
内部EEPROM的操作主要通过4个寄存器
EECON1,EECON2,EEDATA,EEADR

EEDATA寄存器存放8位读写数据
EEADR存放EEPROM被访问过的地址

EECON1寄存器定义：
bit7:5 未用；读为0
bit4 EEIF:EEPROM写操作中断标志位
1 ＝ 写操作完成（必须软件清零）
0 ＝ 写操作未完成或还未开始
bit3 WRERR：EEPROM错误标志位
1 = 写操作过早终止
0 = 写操作已完成
bit2 WREN:EEPROM写使能位
1 ＝ 允许写入
0 ＝ 禁止写入EEPROM
bit1 WR:写操作控制位
1 ＝ 启动写周期，一旦写入完成，该位将被硬件清零
写操作控制位只能用软件置"1"
0 = EEPROM的写周期已完成
bit0 RD:读控制位
1 ＝ 启动EEPROM读操作。读需要一个周期，RD由硬件清零
RD只能用软件置“1”
0 ＝ 未启动EEPROM读操作

写入EEPROM有一个特定的过程：将55H写入EECON2,将AAH写入EECON2
然后将WR位置1
*******************************************/

#include #define uchar unsigned ｃｈａｒ#define uint unsigned int// CONFIG#pragma config FOSC = HS // 12MHZ 外部晶振#pragma config WDTE = OFF // Watchdog Timer Enable bit (WDT enabled)#pragma config PWRTE = OFF // Power-up Timer Enable bit (PWRT disabled)#pragma config BOREN = ON // Brown-out Reset Enable bit (BOR enabled)#pragma config LVP = OFF // Low-Voltage (Single-Supply) In-Circuit Serial Programming Enable bit (RB3/PGM pin has PGM function; low-voltage programming enabled)#pragma config CPD = OFF // Data EEPROM Memory Code Protection bit (Data EEPROM code protection off)#pragma config WRT = OFF // Flash Program Memory Write Enable bits (Write protection off; all program memory may be written to by EECON control)#pragma config CP = OFF // Flash Program Memory Code Protection bit (Code protection off)#define DELAY 200void WriteEE(uchar addr,uchar data);//EEPROM写函数uchar ReadEE(uchar addr); //EEPROM读函数uchar cydata; //定义全局变量void main(void) //主函数{ uchar k; PORTA = 0x00; //PORTA赋00 TRISA = 0x00;//PORTA为输出 for(k = 0;k < 7; k++) { WriteEE(k,k+1); //循环调用EEPROM写函数，向地址为0~7的写入1~8 }while(1){ cydata = ReadEE(0);//读取EEPROM的地址0数据 if(cydata == 1) { RA0 = 1; //判断EEPROM地址0里的数据是不是为1，为1则点亮LED0 }}}//EEPROM写数据函数void WriteEE(uchar addr,uchar data){ do{} while(WR == 1);//等待写完成 EEADR = addr;//写入地址信息 EEDATA = data;//写入数据信息 EEPGD = 0;//操作EEPROM WREN = 1; //写EEPROM允许// --- 此处要disable interrupt EECON2 = 0x55;//写入特定时序 EECON2 = 0xaa; WR = 1; //执行写操作 do{} while(WR == 1);//等待写完成// 可以enable interrupt 功能 WREN = 0;//禁止写入EEPROM}//EEPROM读数据函数uchar ReadEE(uchar addr){ uchar num; do{} while(RD == 1);//等待读完成 EEADR = addr;//写入要读的址址 EEPGD = 0;//操作EEPROM RD = 1;//执行读操作 do{} while(RD == 1);//等待读完成 num = EEDATA; return num;//返回读取的数据}

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(编辑:维扬电工培训学校)