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据中国台湾地区媒体报道，为朝半导体制造的1纳米甚至埃米（0.1纳米）世代超前部署，据高雄市府知情官员透露，台积电正为2纳米之后的先进制程持续觅地，含桥头科、路竹科，均在台积电评估中长期投资设厂的考量之列。
关于是否前进高雄，台积电昨（27）日维持董事长刘德音日前的论调，「以后有机会，短期没规划」。
刘德音日前强调，台积电在北中南的投资规划各占三分之一，5纳米制程以南科为主，预计会占六、七成，2纳米制程投资将在竹科二期扩大地，竹科扩大二期如果不够的话，中科台积电厂区旁边还有一块土地可供后续使用。
台积电的晶圆制造制程已发展到2纳米，并朝1纳米甚至埃米等级的制程加速布局。沉荣津也曾允诺，将竭力协助台积电在1纳米与各项投资上，解决土地、水、电等需求，要维持其在先进制程保持全球领先地位。
高市府官员透露，台积正持续在探寻「2纳米以后」的设厂用地，曾为此接触过市府，其需求是要能有一块完整且既成的设厂用地，而桥头科、路竹科，都在其中长期设厂投资的探询之列，不过考量用地大小，桥头科更为适宜。
不仅台积电开始超前部署觅地，行政院也规划在2021年至2025年间，投入43.72亿元推动「（埃米）世代半导体」计画，要先由政府「花学费」，从设备，仪器，材料与製程技术瓶颈等探路，作为半导体业界未来投资方向的「探照灯」。
根据规划，中国台湾科技部长吴政忠所提出六个加强发展的主轴，其一为攸关岛内半导体产业未来发展的「 世代半导体」，意指半导体在进入3奈米制程后，接下将进入（埃米） 领域，因此政府与业界也开始著手布局。
政院官员透露，半导体技术在1纳米以下会开始遇到瓶颈，但并非不可突破，因半导体界尚无如此前瞻的研究，产业界也尚无馀力处理，因此在谘询过半导体界意见后，挑出基本可探索的方向，进行前瞻技术研究，建立此领域的基础技术能量。
但台积电罗镇球今年八月在一个演讲中曾表示，目前为止，我们看到3纳米、2纳米、1纳米都没有什么太大问题。
设备和材料都已经准备好？
来自日媒的报道称，在不久前举办的线上活动中，欧洲微电子研究中心IMEC首席执行官兼总裁Luc Van den hove在线上演讲中表示，在与ASML公司的合作下，更加先进的光刻机已经取得了进展。
Luc Van den hove表示，IMEC的目标是将下一代高分辨率EUV光刻技术高NA EUV光刻技术商业化。由于此前得光刻机竞争对手早已经陆续退出市场，目前ASML把握着全球主要的先进光刻机产能，近年来，IMEC一直在与ASML研究新的EUV光刻机，目前目标是将工艺规模缩小到1nm及以下。
目前ASML已经完成了NXE:5000系列的高NA EUV曝光系统的基本设计，至于设备的商业化。要等到至少2022年，而等到台积电和三星拿到设备，之前要在2023年。
与此同时，台积电在材料上的研究，也让1nm成为可能。
台积电和交大联手，开发出全球 薄、厚度只有0.7纳米的超薄二维半导体材料绝缘体，可望借此进一步开发出2纳米甚至1纳米的电晶体通道，论文本月成功登上国际顶尖期刊自然期刊（nature）。
国立交通大学电子物理系张文豪教授研究团队在科技部长支持下，与台湾积体电路制造股份有限公司合作，合作研究开发出全球 薄、厚度仅0.7纳米、大面积晶圆尺寸的二维半导体材料绝缘层，台积电表示，关键则在于单晶氮化硼技术的重大突破，将来可望藉由这项技术，进一步开发出2纳米甚至1纳米的电晶体通道。
目前台积电正在推动3纳米的量产计划，指的就是电晶体通道尺寸，通道做的越小，电晶体尺寸就能越小，而在不断微缩的过程中，电子就会越来越难传输，导致电晶体无法有效工作，目前二维半导体材料是现在科学界认为 有可能解决瓶颈的方案之一。
二维半导体材料特性就是很薄，平面结构只有一两个原子等级的厚度，张文豪指出，但也因此传输中的电子容易受环境影响，所以需要绝缘层来阻绝干扰，目前半导体使用的绝缘层多半是氧化物，一般做到5纳米以下就相当困难，无法小于1纳米，团队开发出的单晶氮化硼生长技术，成功达成0.7纳米厚度的绝缘层。
文章第一作者台积电技术主任陈则安，为清大化学系博士，他表示，单晶是指单一的晶体整齐排列，单晶对于未来半导体结构比较有帮助，因为假设绝缘层不是单晶结构，中间会出现很多缺陷，电阻经过的时候可能被缺陷影响，导致效能变差，实验也已证实会有影响，未来还需要更多研究。
陈则安说，过去科学界认为，铜上不太可能出现单晶生长，但是研究团队在实验发现，微米单位范围内氮化硼有同向生长的状况，排列出单一晶体，因此透过分析这极小的区域，调整实验参数和选择材料，成功克服障碍，不但可以单晶生长，还能做到大面积二吋晶圆的尺寸。
台积电处长李连忠曾经是中研院原分所研究员，他表示，台积电研究团队经过基础研究后，找到问题和突破可能性，跟交大化学气相沉积实验室合作，让氮化硼单晶在铜上生长，作为保护二维半导体材料的通道，目前无法说明量产时间，还有很多关键技术要突破，例如金属接触和元件优化，但是的确对于未来电晶体尺寸再缩小将有帮助。
责任编辑：PSY
.(编辑:江汉电工培训学校)
