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美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3D NAND闪存。

美光、Intel合作时，走的是浮动栅极闪存单元架构，独立后转向电荷捕获（charge-trap）闪存单元架构，第一代为128层堆叠，但更多的是过渡性质，用来发现、解决新架构设计的各种问题。

正因如此，美光全新176层堆叠闪存所取代的，其实是96层堆叠。

据了解，美光176层闪存其实是基于两个88层叠加而成，第一批为TLC颗粒，单个Die的容量为512Gb（64GB），当然后期很可能会加入QLC。

得益于新的闪存架构和堆叠技术，美光将176层的厚度压缩在了45微米，基本和早期的64层浮动栅极3D NAND差不多。

这样，即使在一颗芯片内封装16个Die，做到1TB的单颗容量，厚度也不会超过1.5毫米，可以轻松放入智能手机、存储卡。

传输速率提高至1600MT/s，而此前96/128层的都是1200MT/s，读写延迟相比96层改进35％，相比128层改进25％，混合负载性能相比96层改进15％。

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(编辑:覃塘电工培训学校)