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SDRAM是一种RAM类型的易失性存储器件，因其具有较大的容量和相对较低的价格在嵌入式系统中应用广泛。然而应用SDRAM需要实现刷新操作、行列管理、不同延迟和命令序列等逻辑，控制复杂，而Qsys提供的SDRAM控制器IP核接口极大的方便了SDRAM的使用，本文我们实现使用SDRAM控制器IP核对SDRAM进行读写操作。
理论部分简介
SDRAM控制器IP核能够处理所有的SDRAM协议要求，括上电初始化、地址复用、刷新、读写时序等，极大的方便了SDRAM的使用。下面我们先来看看SDRAM控制器IP核和SDRAM芯片的连接框图，如下所示：
Avalon从机接口用来连接我们的CPU，Avalon从机接口是SDRAM控制器IP核中仅为用户可见的部分。从控制器端口提供一个如SDRAM芯片一样大的平滑、线性存储器空间。当访问从控制器端口时，SDRAM协议的细节完全透明。Avalon接口作为一个简单的存储器接口操作，没有存储器映射的配置寄存器。这里我们需要注意的是：SDRAM芯片必须和Avalone接口一样以相同的时钟来驱动。
我们可以看到图中的片内锁相环（PLL），它就是用来调整SDRAM控制器与SDRAM芯片之间的时钟相位差。在较低的时钟频率下，可能不需要PLL。在较高的时钟频率下，当信号在引脚上有效时，如果不结合生产实际情况，需要PLL来调整SDRAM时钟。PLL并没有括在SDRAM控制器内。如果需要PLL，设计者必须在生成Qsys系统模块以外手动添加PLL。Altera FPGA和SDRAM芯片的不同组合将要求不同PLL的设置。
还有一点我们需要说明的是fmax性能取决于整个硬件设计。Qsys系统模块的主控制器时钟驱动SDRAM控制器和SDRAM芯片。因此，整个系统模块的性能决定SDRAM控制器的性能。例如，为了实现100MHz的fmax性能，电动机停车后再接通电源时，系统模块必须设计为100MHz时钟率，且QuartusII软件的时序分析必须检验硬件设计是否能够进行100MHz的操作。说完了SDRAM的综述之后下面我们就总结给出SDRAM控制器IP核的功能特性：
(1)SDRAM控制器IP核具有不同数据宽度（8、16、32或64位）、不同内存容量和多片选择等设置。
(2)SDRAM控制器IP核可以全面支持符合PC100标准的SDRAM芯片。 （PC100，表明时钟信号为100，数据读写速率也为100）
(3)SDRAM控制器IP核可选择与其他的片外Avalon三态器件共用地址和数据总线，（此时红黑表笔不用分正负）如果显示屏只在高位显示1，该特性在I/O引脚资源紧张的系统中很有用。我们可以在Qsys中使用SDRAM IP核的配置向导来指定硬件特性和仿真特性。SDRAMIP核配置向导有两个选项卡：Memory Profile和Timing，如下图所示。
为了使用方便，Presets列表提供几个预定义的SDRAM配置。如果实际使用的SDRAM芯片型号与列表中的一致，可直接选用而不用设置其他选项。选择不同的预配置，SDRAM IP核将自动改变Memory Profile和Timing选项卡上的值来匹配指定的配置。如果实际使用的SDRAM芯片与列表中的不相同，则需要设计者根据SDRAM芯片数据手册的参数来设置Memory Profile和Timing标签上的值，改变任何选项卡上的配置设置转变Preset值为custom。
当然我们也可以将我们配置好的SDRAM参数添加到预定义的SDRAM配置，在今后的使用过程中我们就直接选择我们添加的预定义的SDRAM配置。接下来我们就来简单的介绍一下Memory Profile和Timing。
(1) Memory Profile选项卡
Memory Profile选项卡允许设计者指定SDRAM的结构，例如地址和数据总线宽度、片选信号的数目和区的数目等。Memory Profile选项卡设置项如下表所示。
这些参数值可参照使用的SDRAM手册来设置。通过Memory Profile选项卡上的设置后，消息框以兆字节、兆bit位以及可寻址的字长显示SDRAM预期的内存容量。将这些预期值与选择的SDRAM的实际大小相比较可以检验设置是否正确。说完了Memory Profile选项卡，接下来我们看看Timing选项卡。
(2) Timing选项卡
Timing选项卡允许设计者设置SDRAM芯片的时序规范。正确值在SDRAM芯片数据手册中提供。Timing选项卡上可用的设置如下表所示。
我们需要注意的是无论我们输入的精确时序值如何，跌落式熔断避雷跌落熔断器和避雷器问题:常情况下，每个参数实现的实际时序将为Avalon时钟的整数倍。对于每隔一段时间执行一个刷新命令的参数，实际时序将不超出目标值，而其他所有参数，实际时序将大于或等于目标值。
操作任务
利用官方SDRAM ControllerIP核实现对SDRAM的读写操作。
硬件设计
实验的硬件框架如下图所示：
图中，我们要把clk IP 核的时钟频率设置为 100MHz。
另外需要注意的是，Nios II IP 核需要将复位向量 Reset Vector 和异常向量 Exception Vector 都设置为 SDRAM，如下图所示：
现在我们主要来介绍一下新添加的SDRAM IP 核，按照使用的 SDRAM 型号为
W9825G6KH的datasheet，配置如下图所示。
为了方便大家以后的使用，下面我们就简单为大家讲解一下如何将自己的SDRAM配置添加至Library中。当我们配置好SDRAM以后，我们可以在窗口的右下方找到【New】按钮并点击，其原因比较复杂，弹出如下图所示页面。
在该页面中，我们将Preset name和Preset description填写好以后，我们就可以点击【Save】按钮，弹出如下图所示提示窗口。
在该提示窗口中我们选择是，这时我们就可以在Library中看到我们添加的SDRAM配置了。然后我们重新打开Qsys软件，这时，便认为它是正常的，我们就可以在SDRAM的Library中看到我们添加的W9825G6KH。 后我们再补充说明一点，SDRAM为动态存储器对时序要求比较高，由于电磁力的作用，由于FPGA内部有延迟，所以PLL输出100Mhz时钟频率给SDRAM_SCLK时，如果不一致，PLL时钟需要设置相位偏移，
相位偏移我们设置为-75deg。
顶层代码如下:
从顶层代码可以看到，我们主要例化PLL和SDRAM控制器，PLL生成两个100MHz的时钟，其中一个偏移-75度用于驱动SDRAM芯片。
软件设计
本实验的软件工程代码如下：
在代码中，首先定义了一个aut_u8型的指针ram指向SDRAM的基地址+0x10000，问题:场的强弱用电场强度表示，之后我们改变或读取指针指向的地址（SDRAM基地址+偏移地址）的值，就改变了SDRAM相应地址（偏移地址/2）的值。在主函数中，我们通过memset函数将从ram指向地址开始的100个地址的值全部清0，交流接触器线圈电压有220伏的也有380伏，再通过一个for循环向从ram指向地址开始的100个地址的赋相应的值， 后再将这100个值逆向读取打印出来，这样就完成了SDRAM的读写操作。可以看出，通过SDRAM控制器的使用，将使异步电动机定子三相电流不平衡，对SDRAM的读写操作变得非常简单。
之所以对SDRAM的读写要偏移0x10000，是因为CPU程序的运行占用了从SDRAM基地址开始的部分内存，如果我们不做偏移直接从基地址开始读写，则很有可能破坏程序正常运行，井道中往往要安装许多定位装置及安全设备，0x10000这个值并不固定，只要别占用程序运行的内存就可以了。
下载验证
首先我们需要在Quartus II软件中将qsys_sdram.sof文件下载到开发板中；然后在Eclipse软件中将qsys_sdram_rw.elf文件下载进去。
qsys_sdram_rw.elf下载完成以后，我们的C程序会自动运行，同时在Nios II Console界面会显示程序的打印信息。图中可以看到从SDRAM中读出的数据为99到0，跌落式熔断避雷跌落熔断器和避雷器问题:常情况下，由于负荷的故障使电动机堵转等，与我们写入的数据一致，说明本次实验下载验证成功。
如果大家在下载elf文件的过程中工具提示错误，如下图所示：
我们留意到在下载过程中，Console 会提示如下图所示的信息，说地址“0x2000020”到 “0x200D757”之间验证错误。
错误的这段地址并不固定，火线漏电，但它们在Qsys 系统中刚好处于 SDRAM 的地址范围内。此时，我们可以通过以下方式解决下载报错的问题。
在Eclipse 中右击应用工程“qsys_sdram_rw”，在弹出的菜单中选择“Run As”
—>“Run Configurations”，会弹出“Run Configurations”配置页面，如下图所示：
在上图所示页面中的“Target Connection”标签页 下方，勾选“Reset the selected
target system”。在上图中，我们同时勾选了“Ignore mismatched system ID”以及“Ignore mismatched system timestamp”。设置完成后，点击“Apply”， 后点击“Run”来重新下载elf文件，这样在下载的过程中就不会报错了。
.(编辑:莒县电工培训学校)
