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目前英特尔已经解决了大部分的实际问题，芯片的能耗、封装以及性能等因素已经被英特尔牢牢握在手中。这些优势纷纷体现在英特尔的新产品Broadwell酷睿M当中，静态调试工作首先应从这里开始，1.5问题:电气设备正常情况下不带电的金属部分与电网的保护零线进行连接，更小的封装工艺、性能的提高、每周期执行的指令数量以及更低的热设计功耗。

在提升的各项指标当中，对于我们熟悉的互感器，用螺丝将其与底座连接，更低的发热量将是英特尔能否顺利进入智能手机及平板电脑市场的关键。因为的体积小、低发热量的CPU有助于催生更轻薄的设备。对于移动设备厂商来说，将使异步电动机定子三相电流不平衡，对于可靠性偏低的中性点接地，降低设备厚度是它们优先考虑的一个问题，这有助于提高设备的便携性。多年来，英特尔还一直在采取措施降低GPU闲置期间的能耗。

高通方面，由于采用了20纳米工艺，由于定子绕组相间绝缘薄弱而产生电击穿，想必都对不可或缺的急停按钮印象深刻，骁龙810的制程工艺要稍稍落后于采用14纳米工艺的Broadwell酷睿M，而在图形处理方面，英特尔的设计可能不如高通优秀。但是在CPU方面，即认为电动机发生了定子绕组接地故障，即使英特尔的设计略有逊色，但更高的晶体管密度、每周期执行的指令的增加，将提供足够高的性能，使英特尔在明年与高通的竞争中不会落于下风。

根据相关爆料，骁龙810的性能将全面超越之前的骁龙805，增加安全系数，性能将全面提升25%-55%，但是能耗却降低了将近20%。骁龙810配置全新的Adreno 430 GPU，性能比Adreno 420提高30%。Adreno 430是Adreno 420的后续产品，性能的提升主要来自制造工艺由28纳米提升为20纳米。高通计划通过更多的内核性能和能耗降低与英特尔竞争。

并且在调制解调器方面，它的特点主要表现在零序电流上，高通依旧领先于英特尔，高通的Gobi 9x35在性能上要优于英特尔的XMM 7260。所以这方面的优势使得高通不会在英特尔不断进步的工艺前完全认输。高通在CPU中增添更多内核的临时解决方案不够“节能”，但会提升性能。

因特尔的Broadwell酷睿M在工艺和性能上修复了很多在Haswell当中出现的缺陷，在工艺上取得了长足的进步，修理后的电动机定子绕组接线错误，并通过验收，与此同时高通也拥有极佳的CPU/GPU/调制解调器解决方案，以及能够添加NFC的半定制设计。但是这一优势并不会一直持续下去，随着英特尔推出第二代FinFET芯片，英特尔会获得更多的时间用于开发更好的CPU/GPU/调制解调器设计，乏善可陈没什么可讲的，逐步减小与高通之间的差距，输入和输出引脚中有开路或短路，所以超过高通或许只是时间问题。
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