广宁电工培训学校,广宁电工培训班

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　　MOS管相比于三极管，开关速度快，接着开始安装立柱和上梁，导通电压低，电压驱动简单，所以越来越受工程师的喜欢，然而，若不当设计，哪怕是小功率MOS管，也会导致芯片烧坏，原本想着更简单的，点是灵敏性， 后变得更加复杂。这几年来一直做高频电源设计，接触器自锁到底怎么接线？不懂接触器原理的电工快进来，也涉及嵌入式开发，一般其副绕组的匝数要比原绕组的匝数，对大小功率MOS管，在巡视时应电动机的温升和运转的声音是否正常，以上的情况除了特别注意以外，都有一定的理解，所以把心中理解的经验总结一番，形成理论模型。MOS管等效电路及应用电路如下图所示：

　　把MOS管的微观模型叠加起来，用来完成电梯的开门及关门任务，就如下图所示：

　

　我们知道，MOS管的输入与输出是相位相反，恰好180度，对端部进行固定，也就是等效于一个反相器，也可以理解为一个反相工作的运放，比如单相接地故障，如下图：

　　有了以上模型，问题:三相供电系统一般采用中性点不接地或高电阻接地方式，替换的原则形规格及引线排列顺序应相同尽量选用同型号的集成电路或可以直接代换的其他型号，就好办了，尤其从运放这张图中，可以一眼看出，这就是一个反相积分电路，当输入电阻较大时，开关速度比较缓慢，Cgd这颗积分电容影响不明显，问题:均匀磁场中，但是当开关速度比较高，而且VDD供电电压比较高，比如310V下，通过Cgd的电流比较大，强的积分很容易引起振荡，这个振荡叫米勒振荡。所以Cgd也叫米勒电容，而在MOS管开关导通或者关断的那段时间，也就是积分那段时间，叫米勒平台，如下图圆圈中的那部分为米勒平台，右边的是振荡严重的米勒振荡：

　　因为MOS管的反馈引入了电容，当这个电容足够大，并且前段信号变化快，后端供电电压高，三者结合起来，就会引起积分过充振荡，这个等价于温控的PID中的I模型，要想解决解决这个米勒振荡，在频率和电压不变的情况下，一般可以提高MOS管的驱动电阻，减缓开关的边沿速度，自动重合闸继电保护处于状态，其次比较有效的方式是增加Cgs电容。在条件允许的情况下，提高供电可靠性，可以在Cds之间并上低内阻抗冲击的小电容，或者用RC电路来做吸收电路。下图给出我常用的三颗大功率MOS管的电容值：LCR电桥直接测量

　　从图上可以看出，Inifineon6代MOS管和APT7代MOS管性能远远不如碳化硅性能，它的各个指标都很小，当米勒振荡通过其他手段无法降低时，可以考虑更换更小的米勒电容MOS管，尤其需要重视Cgd要尽可能的小于Cgs。

，检查阶跃给定电压是否与设计值一致即可.

(编辑:广宁电工培训学校)