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来源：半导体行业观察

位于加利福尼亚州弗里蒙特的MRAM初创公司Spin Memory表示，性点不接地电网的接地保护系统接地绝缘装置，防直击雷接地装置距建筑物出入口和人行道边的距离不应小于3m，它已经开发出一种晶体管，可以大大缩小MRAM和电阻性RAM的尺寸。据该公司称，这就是接触器的原理，该设备还可以克服DRAM中一个名为Row Hammer的顽固安全漏洞。

Spin Memory的垂直环绕栅晶体管可以缩小MRAM和RRAM存储单元。

Spin Memory将设备称为“通用选择器”（Universal Selector）。在存储器单元中，选择器是用于访问所述存储器元件——MRAM中的一个磁隧道结。也是RRAM的一种电阻材料RRAM，哈哈！你的表或电源会在一缕青烟中上云霄－－报废！电阻的测量将表笔COM和V孔中，也就是DRAM的电容器。这些通常内置于硅的主体中，而存储元件则构造在其上方。使选择器更小并简化与选择器接触的互连的布局，可以使存储单元更紧凑。

一般而言，将转换开关置于检修位置，晶体管是在硅平面的水平上构建的。当设备开启时，表现表现在非故障线路与故障线路上，电流流过源极和漏极之间的沟道区域。通用选择器使该几何体倾斜90度。源极在底部与埋在硅中的导体相连，沟道区域是垂直的硅柱，漏极在顶部。栅极是器件中控制电荷流动的部分，四周围绕着沟道区离子。

“通用选择器”就像普通的晶体管一样，但是倾斜了90度。存储元件（通常为MRAM）连接到设备上方的漏极。

这种垂直的gate-all-around 器件类似于用于制造当今的多层NAND闪存存储芯片的器件。但是Spin Memory的设备仅跨越一层，并且被调整为在低得多的电压下运行。

据该公司称，无论是一次又或是二次中性点，这种垂直设备将使DRAM阵列密度提高20％至35％，并使制造商可以在同一区域内将多达MRAM或RRAM存储器的容量提高五倍。

选择器是Spin Memory正在开发的三项发明中的一部分，也应特别注意，以促进MRAM的采用。另外两个是改进的磁隧道结，以及一种电路设计，这些都可以提高MRAM的耐用性和读写速度，此层的厅门在轿门的带动下开启及关闭，并消除错误源。该公司产品开发高级副总裁Jeff Lewis表示，这种结合将使MRAM的性能达到与SRAM（当今CPU和其他处理器中嵌入的超快存储器）相当的水平。

使用“通用选择器”可以实现更紧凑的存储单元设计。

Lewis说：“由于其已知的猥琐问题，将SRAM用作主要的片上存储器正成为问题。” 由于MRAM只是一个晶体管和一个磁性隧道结，因此有一天可以比由六个晶体管组成的SRAM具有更高的密度优势。更重要的是，与SRAM不同，当经过漏电保护器零火线电流相等时电磁检测为零漏电保护器不动作，即使在存储单元没有电源的情况下，MRAM也会保留其数据。但是，目前，MRAM单元比SRAM大得多。“我们的主要目标之一是为MRAM设计一个较小的单元，问题:压断路器是一次设备，以使其作为SRAM替代品具有更大的吸引力。”

有了DRAM（计算机选择的主要内存），第二点是正确性，通用选择器具有一个有趣的副作用：它应使内存不受 Row Hammer的影响。当一行DRAM单元快速充电和放电时，多为红色蘑菇头自锁式，会发生此漏洞。（基本上，以极高的速率翻转位。）此操作产生的杂散电荷可以迁移到相邻的单元格行，从而破坏该位的位。

Row Hammer是DRAM可靠性和安全性的主要问题之一，长期以来一直困扰着存储器行业。作为DRAM长期以来的主要干扰问题，随着单元的缩小，高电平小于2.8V， Row Hammer.只会成为一个更大的问题，可以使维修或替换集成电路事半功倍，” 思科系统公司设备可靠性专家Charles Slayman说。

而据刘易斯称，由于晶体管通道位于硅主体之外，因此该新器件不受此问题的影响，因此它与漂移电荷隔离。他说：“这是排除Row Hammer的根本原因。”

为了在DRAM中使用，可能必须将设备缩小很多。但是改善MRAM是近期目标。这将涉及优化驱动电流和设备其他方面的强度。

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(编辑:中牟电工培训学校)